အော့စမီယမ်

အော့စမီယမ်  ₇₆Os

ယေဘုယျ ဂုဏ်သတ္တိများ
အမည်၊ သင်္ကေတ	အော့စမီယမ်, Os
အဆင်း	silvery, blue cast
ဒြပ်စင်အလှည့်ကျဇယားရှိ အော့စမီယမ်
Ru ↑ Os ↓ Hs ရီနီယမ် ← အော့စမီယမ် → အိုင်ရီဒီယမ်
အက်တမ် အမှတ်စဉ် (Z)	76
အုပ်စု၊ ဘလော့	group 8
ဒြပ်စင်အလှည့်ကျဇယား	period 6
စံ အက်တောမစ် အလေးချိန် (Ar)
အီလက်ထရွန် ပြုပြင်မှု	[Xe] 4f14 5d6 6s2
အခွံတစ်ခုလျင် အီလက်ထရွန်ပါဝင်မှု	2, 8, 18, 32, 14, 2
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
ဖေ့စ်	အစိုင်အခဲ
အရည်ပျော်မှတ်	3306 K ​(3033 °C, ​5491 °F)
အရည်ဆူမှတ်	5285 K ​(5012 °C, ​9054 °F)
သိပ်သည်းမှု (အခန်းအပူချိန်)	22.59 g/cm3
20 g/cm3
ဖျူးရှင်းအပူ	31 kJ/mol
အငွေ့ပျံခြင်း အပူ	378 kJ/mol
မိုလာ အပူအင်အား	24.7 J/(mol·K)
ငွေ့ရည်ဖိအား P (Pa) 1 10 100 1 k 10 k 100 k at T (K) 3160 3423 3751 4148 4638 5256
အက်တောမစ် ဂုဏ်အင်များ
အီလက်ထရွန် ဆန့်ကျင်ဘက်ဓာတ်	Pauling scale: 2.2
အိုင်ယွန်းပြုခြင်းစွမ်းအင်	1st: 840 kJ/mol 2nd: 1600 kJ/mol
အက်တောမစ် အချင်းဝက်	empirical: 135 pm
ကိုဗေးလန့်အချင်းဝက်	144±4 pm
Miscellanea
ပုံဆောင်ခဲ ဖွဲ့စည်းပုံ	​hexagonal close-packed (hcp)
အသံ၏အမြန်နှုန်း	4940 m/s (at 20 °C)
အပူ ပြန့်ကားမှု	5.1 µm/(m·K) (at 25 °C)
အပူစီးကူးမှု	87.6 W/(m·K)
လျှပ်စစ် ခုခံမှု	81.2 nΩ·m (at 0 °C)
သံလိုက်ဓာတ်	paramagnetic
သံလိုက် ထိတွေ့နိုင်မှု (χmol)	6995110000000000000♠11×10−6 cm3/mol
Shear modulus	222 GPa
Bulk modulus	462 GPa
ပိုင်ဆွန် အချိုး	0.25
Mohs hardness	7.0
Vickers hardness	300 MPa
Brinell hardness	293 MPa
CAS Number	7440-04-2
သမိုင်းကြောင်း
ရှာဖွေတွေ့ရှိမှုနှင့် ပထမဆုံးခွဲထုတ်ခြင်း	Smithson Tennant (1803)
အတည်ငြိမ်ဆုံး အော့စမီယမ်၏ အိုင်ဆိုတုပ်များ
iso NA သက်တမ်းဝက် DM DE (MeV) DP 184Os 0.02% is stable with 108 neutrons 185Os syn 93.6 d ε 1.013 185Re 186Os 1.59% 2.0×1015 y α 2.822 182W 187Os 1.96% is stable with 111 neutrons 188Os 13.24% is stable with 112 neutrons 189Os 16.15% is stable with 113 neutrons 190Os 26.26% is stable with 114 neutrons 191Os syn 15.4 d β− 0.314 191Ir 192Os 40.78% is stable with 116 neutrons 193Os syn 30.11 d β− 1.141 193Ir 194Os syn 6 y β− 0.097 194Ir

အော့စမီယမ် (Osmium) ဒြပ်စင်သည် Platinum ဒြပ်စင်အုပ်စုဝင် တစ်ခုဖြစ်ပြီး စိုထိုင်းသော၊ ငွေရောင်ရှိသော ဒြပ်စင်တစ်ခု ဖြစ်သည်။ ၎င်းကို သိပ်သည်းမှု အကောင်းဆုံးဒြပ်စင်အဖြစ် သိရှိထားသော်လည်း လက်ခံနိုင်ယုံမျှသာ ဖြစ်သည်။ Osmium ဒြပ်စင်သည်ရေ နှင့် အက်ဆစ် အတွင်း သက်ရောက်မှုလုံးဝမရှိသော်လည်း အယ်ကာလီ ဆားပျော်ရည်ပူ (molten alkalis) အတွင်း၌မူ ကောင်းမွန်စွာ ပျော်ဝင်နိုင်သည်။ အော့စမီယမ် အမှုန့်များသည် လေထဲရှိ အောက်ဆီဂျင်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် အလွန်နှေးကွေးစွာ ထိတွေ့ဓာတ်ပြုပြီး Osmium tetroxide အငွေ့အဖြစ် ပြန်လည် ထုတ်လွှတ် ပေးပါသည်။

အသုံးပြုခြင်း

၎င်းဒြပ်စင်ကို အခြားဒြပ်စင်များနှင့် ရောစပ်၍ သတ္တုစပ်(alloys) အဖြစ်အနည်းငယ် အသုံးပြုကြပြီး စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင်မူ ဓာတ်ကူပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။ အော့စမီယမ် ဒြပ်စင်ကိုတစ်ချိန်က ဘောပင် ဖောင်တိန်များ၏ ထိပ်ရှိ အရည်အသွေးကောင်းမွန်သော ဘောစေ့များ အဖြစ်လည်းကောင်း၊ သံလိုက်အမြှောင် ညွှန်တံများအဖြစ်လည်းကောင်း၊ ရှေ့ကအသုံးပြုခဲ့သော အသံချဲ့စက်များတွင် ဓာတ်ပြားလှည့်အပ်များ နှင့် နှိုးစက်နာရီများတွင် အသုံးပြုခဲ့ကြရာ အလွန်အရည်အသွေး ကောင်းမွန်ပြီး တိုက်စားမှုများကို ခုခံနိုင်စွမ်းကောင်းမွန်စွာ အသုံးဝင်ခဲ့သည်။

သဘာဝမှာတွေ့ရှိမှုအခြေအနေ

၎င်းဒြပ်စင်ကို စီပွားရေးလောကတွင် အဓိကအားဖြင့် platinum ဒြပ်စင်နှင့်ရောစပ်ပြီး သတ္တုစပ်အဖြစ် ရောစပ်၍ အလွန်အရေးပါစွာတွေ့ရှိရပြီး သတ္တုတွင်းများတွင် သဘာဝအားဖြင့် iridosmine နှင့် osmiridium သတ္တုရိုင်းများ အဖြစ် အဓိကတွေ့ရသည်။ iridosmine ရှားပါးသတ္တုကို ရုရှား နှင့် တောင်နှင့်မြောက် အမေရိက နိုင်ငံတို့တွင ်ရှာပါးစွာ တွေ့ရှိရပြီး တစ်နှစ်လျှင် ပျမ်းမျှ ၁၀ဝ ကီလိုဂရမ်အောက် ထုတ်လုပ်လျက် ရှိသည်။ ၎င်းဒြပ်စင်သည် အလွန်ခက်ခဲစွာ ထုတ်လုပ်ရသောကြောင့် လိုအပ်ချက်ကို ပြည့်မှီအောင် ထုတ်လုပ်နိုင်ခြင်း မရှိပဲ အနည်းငယ်မျှ သာထုတ်လုပ်နိုင်သည်။

ကျန်းမာရေးဆိုင်ရာသက်ရောက်မှုများ

Osmium tetroxide(OsO4) သည် အလွန်မြင့်မားစွာ အဆိပ်အတောက် ဖြစ်စေသည်။ လေထဲသို့ ၎င်းဒြပ်စင် ပြင်းအား 10-7 gm-3 အောက်နည်းသော ပမာဏလောက် ရောက်ရှိပါက အဆုပ်ကို မွန်းကြပ်စေခြင်း၊ အရည်ပြားကို ထိခိုက်ပျက်စီးစေခြင်း၊ မျက်စိကို ပြင်းထန်စွာ ထိခိုက်ပျက်စီးစေ ခြင်း တို့ကိုဖြစ်စေနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် မည်သည့်အခါ၌မဆို ၎င်းကို ကိုင်တွယ် အသုံးပြုရာတွင် သင့်တင့်သော ဓာတုဗေဒ ဆိုင်ရာ အကူပစ္စည်းများဖြင့် ကိုင်တွယ်အသုံးပြု သင့်ပါသည်။

Osmium tetroxide(OsO4) အခိုးအငွေ့ ကိုရှူရှိက်ခြင်းဖြင့် လည်းကောင်း၊ အေရိုဇော(လေဖိအားဖြင့် မှုတ်ပေးနိုင်ရန် စီမံထားသောဗူး) မှတစ်ဆင့် Osmium tetroxide (OsO4) ကိုရှူရှိုက်ခြင်းဖြင့် လည်းကောင်း၊ မျိုချခြင်းဖြင့် လည်းကောင်း ကိုယ်ခန္ဓာအတွင်းပိုင်းသို့ ရောက်ရှိနိုင်သည်။

ရှူရှိုက်ခြင်း နှင့်ဆိုင်သောအန္တရာယ် ။ ။ အပူချိန် 20 ˚C တွင် ၎င်းဒြပ်စင်သည် အငွေ့ပြန်ခြင်းသို့ ရောက်ရှိ ပြီး လေထုထဲသို့ အလွန်လျင်မြန်စွာ ပျံ့နှံ့လွယ်သောကြောင့် အလွန်ပင် အန္တရာယ်များလှပါသည်။

ရှူရှိုက်မိခြင်း။ ။ ထိတွေ့သော နေရာများကို လောင်ကျွမ်းစေခြင်း၊ ချောင်းဆိုးခြင်း၊ ခေါင်းကိုက်ခြင်း၊ ချွဲသလိပ်ကပ်ခြင်း၊ အသက်ရှူကြပ်ခြင်း၊ မျက်စိအာရုံကြောများကို ပျက်စီးစေခြင်း၊ အသိဉာဏ်များကို နှောက်နှေးစေခြင်း။

အရည်ပြား။ ။ အရည်ပြားကို နီမြန်းစေခြင်း၊ လောင်ကျွမ်းစေခြင်း၊ နာကျင်စေခြင်း၊ အရည်ပြားအရောင် ပျက်စီးစေခြင်း၊ မီးလောင်ဖု၊ အရည်ကြည်ဖုများ ပေါက်စေခြင်း။

မျက်စိ။ ။ မျက်စိနီမြန်းစေခြင်း၊ နာကျင်စေခြင်း၊ အမြင်ပျက်ယွင်းစေခြင်း၊ အမြင်ပျောက်ဆုံးစေခြင်း၊ မျက်စိအတွင်းပိုင်ထဲအထိ ပြင်းထန်စွာ လောင်ကျွမ်းစေခြင်း။

မျိုချခြင်း။ ။ ဗိုက်အောင့်၍မအီမသာဖြစ်ခြင်း၊ ထိတွေ့သောနေရာများကို လောင်ကျွမ်းစေခြင်း၊ စိတ်ချောက်ချားတုန်လှုပ်ခြင်း၊ မူးမေ့လဲခြင်း သတိလစ်ခြင်း။

ဓာတုဗေဒနှင့်ဆိုင်သောအန္တရာယ်များ။ ။ Osmium ဒြပ်စင်သည် အပူပေးခြင်းဖြစ် Osmium အငွေ့အဖြစ် ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ ၎င်းဒြပ်စင်သည်ဓာတ်တိုးခြင်း၊ ဓာတ်လျှော့ခြင်း နှင့် မီးလောင်လွယ်ခြင်း အားကောင်းသော ဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ် အက်စစ်နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး chlorine အဆိပ်ငွေ့ကို ပေါ်ပေါက်စေသည်။ အယ်ကာလီများနှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ မတည်မြဲသော ကွန်ပေါင်းများ အဖြစ် ပေါ်ပေါက်စေသည်။

အချိန်တိုအတွင်းထိတွေ့ခြင်း၌အကျိုးသက်ရောက်မှု။ ။ မျက်ရည်ကျခြင်း၊ ၎င်းဒြပ်စင်သည် မျက်စိ၊ အရည်ပြားနှင့် အသက်ရှူလမ်းကြောင်းတို့ကို တဖြေးဖြေး တိုက်စားပျက်စီးစေသည်။ လွန်မြင့်မား သောပြင်းအားရှိသည့် ပမာဏနှင့် ထိတွေမိပါက သေစေနိုင်သည်။ အချိန်တိုအတွင်း ထိတွေ့ခြင်းမှ ၎င်းအကျိုး သက်ရောက်မှုများသည် တဖြေးဖြေး နှေးကွေးစွာပေါက်လာစေသည်။

အချိန်ကြာမြင့်စွာထိတွေ့ခြင်း(သို့)အကြိမ်ကြိမ်အခါခါထိတွေ့ခြင်း၌အကျိုးသက်ရောက်မှု။ ။ အချိန်ကြာမြင့်စွာထိတွေ့ခြင်း (သို့) အကြိမ်ကြိမ် အခါခါ ထိတွေ့ခြင်းကြောင့် အရည်ပြား နီလာပြီး ရောင်အမ်း နာကျင်ခြင်းများ ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ၎င်းဒြပ်စင်သည် ကျောက်ကပ်များအပေါ်သို့ လည်းအကျိုး သက်ရောက်မှုများ ဖြစ်စေနိုင်သည်။

ပတ်ဝန်းကျင်သို့သက်ရောက်မှုများ

၎င်းဒြပ်စင်သည် အလွန်အားကောင်းသည့် ဒြပ်တိုးနိုင်သော ဒြပ်စင်တစ်ခု ဖြစ်သောကြောင့် အခက်ခဲမရှိ အခြားဒြပ်စင် တစ်ခုအဖြစ်သို့ လျင်မြန်စွာပြောင်းလည်း ပေါ်ပေါက်နိုင်သည်။