Photoresistor

ဝီကီပီးဒီးယား မှ
ဤနေရာသို့သွားရန် - အ​ညွှန်း​, ရှာဖွေရန်
This article is titled in another language/script, because there is no suitable name in Myanmar language yet.

Light Dependent Resistor or Photoresistor ၏ခုခံမှုတန်ဖိုးသည် ယင်းအပေါ်သို့ ကျရောက်သည့် အလင်းပြင်းအားနှင့် လိုက်၍ ပြောင်းသည်။ထို့ကြောင့် အလင်းအာရုံခံသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပတ်လမ်း နှင့် အမှောင်အာရုံခံသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပတ်လမ်း များကိုခလုတ်ကဲ့သို့ အသုံးချကြသည်။ LDR ကို ခုခံမှုတန်ဖိုးမြင့်သော cadmium sulphideတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်သည်။အမှောင်ထဲတွင်LDR ၏တန်ဖိုးသည် မြင့်မား၍ မီဂါအုမ်းခန့် ရှိနိုင်သည်။အလင်းထဲတွင်မူ အုမ်းတန်ဖိုးသည် ရာဂဏန်းခန့်သာရှိနိုင်သည်။Cadmium Sulphide မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ အလင်းကျရောက်ချိန်တွင် အက်တမ်မှ နဂိုရှိသော အီလက်ထရွန်များကို ထုတ်ပေးလိုက်ရသဖြင့် LDR ၏ခုခံမှုသည် ကျဆင်းသွားသည်။