တပိုင်းလျှပ်ကူး: တည်းဖြတ်မှု မူကွဲများ

ဝီကီပီးဒီးယား မှ
အရေးမကြီး added Category:အီလက်ထရွန်းနစ် using HotCat
အရေးမကြီးNo edit summary
စာကြောင်း ၁ - စာကြောင်း ၁ -


'''တပိုင်းလျှပ်ကူး''' သည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခုခံနိုင်သော ပုံဆောင်ခဲပုံစံ သို့မဟုတ် အစိုင်အခဲဖြစ်သည်။ ယင်းတို့သည် သာမန်လျှပ်ခံပစ္စည်းများထက် ပိုများပြီး သာမန်လျှပ်ကာပစ္စည်းများထက်မူ ခုခံမှု ပိုနည်းသည်။<ref name="Mehta2008">{{cite book|last=Mehta|first=V. K.|title=Principles of Electronics|url=https://books.google.com/books?id=1fVpIwP17w0C&pg=PA56|accessdate=6 December 2015|date=2008-01-01|publisher=S. Chand|isbn=978-81-219-2450-4|page=56}}</ref> အပူချိန် များလာသည်နှင့် ယင်းတို့၏လျှပ်ကူးနိုင်မှု များလာပြီး လျှပ်ခုခံမှု ကျဆင်းလာသည်။ ယင်းသည် သတ္တုများတွင်မူ ပြောင်းပြန်ဖြစ်သည်။ တပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို နယ်ပယ်များစွာ၌ အသုံးဝင်သည်။ အချို့သော သန့်စင်သည့် ဒြပ်စင်များသည် တပိုင်းလျှပ်ကူးအဖြစ် အသုံးချနိုင်သည်။ [[ဆီလီကွန်]]၊ ဂျာမန်နီယမ်နှင့် ဂါလီယမ်ဒြပ်ပေါင်းများကို အသုံးများသည်။
'''တပိုင်းလျှပ်ကူး''' သည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခုခံနိုင်သော ပုံဆောင်ခဲပုံစံ သို့မဟုတ် အစိုင်အခဲဖြစ်သည်။ ယင်းတို့သည် သာမန်လျှပ်ခံပစ္စည်းများထက် ပိုများပြီး သာမန်လျှပ်ကာပစ္စည်းများထက်မူ ခုခံမှု ပိုနည်းသည်။<ref name="Mehta2008">{{cite book|last=Mehta|first=V. K.|title=Principles of Electronics|url=https://books.google.com/books?id=1fVpIwP17w0C&pg=PA56|accessdate=6 December 2015|date=2008-01-01|publisher=S. Chand|isbn=978-81-219-2450-4|page=56}}</ref> အပူချိန် များလာသည်နှင့် ယင်းတို့၏လျှပ်ကူးနိုင်မှု များလာပြီး လျှပ်ခုခံမှု ကျဆင်းလာသည်။ ယင်းသည် [[သတ္တု]]များတွင်မူ ပြောင်းပြန်ဖြစ်သည်။ တပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို နယ်ပယ်များစွာ၌ အသုံးဝင်သည်။ အချို့သော သန့်စင်သည့် ဒြပ်စင်များသည် တပိုင်းလျှပ်ကူးအဖြစ် အသုံးချနိုင်သည်။ [[ဆီလီကွန်]]၊ ဂျာမန်နီယမ်နှင့် ဂါလီယမ်ဒြပ်ပေါင်းများကို အသုံးများသည်။
ကွမ်တမ် ရူပဗေဒနယ်ပယ်၌ တိုးတက်လာခြင်းသည် ၁၉၄၇ ခုနှစ်တွင် ထရန်ဆစ္စတာများကို ဖွံံ့ဖြိုးတိုးတက်စေခဲ့သည်။<ref>{{cite book|last1=Shockley|first1=William|title=Electrons and holes in semiconductors : with applications to transistor electronics|date=1950|publisher=R. E. Krieger Pub. Co|isbn=0-88275-382-7}}</ref>
ကွမ်တမ် ရူပဗေဒနယ်ပယ်၌ တိုးတက်လာခြင်းသည် ၁၉၄၇ ခုနှစ်တွင် ထရန်ဆစ္စတာများကို ဖွံံ့ဖြိုးတိုးတက်စေခဲ့သည်။<ref>{{cite book|last1=Shockley|first1=William|title=Electrons and holes in semiconductors : with applications to transistor electronics|date=1950|publisher=R. E. Krieger Pub. Co|isbn=0-88275-382-7}}</ref>


စာကြောင်း ၇ - စာကြောင်း ၇ -


[[Category:အီလက်ထရွန်းနစ်]]
[[Category:အီလက်ထရွန်းနစ်]]

{{Stub}}

၀၁:၄၄၊ ၁ မတ် ၂၀၁၇ ရက်နေ့က မူ

တပိုင်းလျှပ်ကူး သည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခုခံနိုင်သော ပုံဆောင်ခဲပုံစံ သို့မဟုတ် အစိုင်အခဲဖြစ်သည်။ ယင်းတို့သည် သာမန်လျှပ်ခံပစ္စည်းများထက် ပိုများပြီး သာမန်လျှပ်ကာပစ္စည်းများထက်မူ ခုခံမှု ပိုနည်းသည်။[၁] အပူချိန် များလာသည်နှင့် ယင်းတို့၏လျှပ်ကူးနိုင်မှု များလာပြီး လျှပ်ခုခံမှု ကျဆင်းလာသည်။ ယင်းသည် သတ္တုများတွင်မူ ပြောင်းပြန်ဖြစ်သည်။ တပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို နယ်ပယ်များစွာ၌ အသုံးဝင်သည်။ အချို့သော သန့်စင်သည့် ဒြပ်စင်များသည် တပိုင်းလျှပ်ကူးအဖြစ် အသုံးချနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်၊ ဂျာမန်နီယမ်နှင့် ဂါလီယမ်ဒြပ်ပေါင်းများကို အသုံးများသည်။ ကွမ်တမ် ရူပဗေဒနယ်ပယ်၌ တိုးတက်လာခြင်းသည် ၁၉၄၇ ခုနှစ်တွင် ထရန်ဆစ္စတာများကို ဖွံံ့ဖြိုးတိုးတက်စေခဲ့သည်။[၂]

ကိုးကား

  1. Mehta၊ V. K. (2008-01-01)။ Principles of Electronics။ S. Chand။ p. 56။ ISBN 978-81-219-2450-46 December 2015 တွင် ပြန်စစ်ပြီး
  2. Shockley၊ William (1950)။ Electrons and holes in semiconductors : with applications to transistor electronics။ R. E. Krieger Pub. Co။ ISBN 0-88275-382-7